KIP-Veröffentlichungen

Die vorliegende Arbeit erläutert die Untersuchungen an Floating-Gate Speicherzellen die in einem 65nm Single-Poly Prozess implementiert sind. Orientiert am Vorgängermodell, das in einem 180 nm-Herstellungsprozess entwickelt und hergestellt worden ist, wird der Frage nachgegangen inwiefern ein Einsatz als analoger Parameterspeicher für neuromorphe Hardware in Frage kommt. Anhand zehn untersuchter Speicherzellen wird die prinzipielle Funktionsfähigkeit bestätigt und grundlegende Eigenschaften wie Speicherzeit und Dauerbelastbarkeit untersucht; tiefergehende Analysen können aufgrund eines Fehlers im Entwurf der Schaltung nicht durchgeführt werden. Der potentielle Einsatz als Analogspeicher ist aufgrund der Ergebnisse dieser Arbeit durchaus denkbar, stichhaltige Aussagen erfordern jedoch weitere Untersuchungen.

This thesis presents the results of tests on 65nm single-poly floating gate memory cells. A previous version, implemented in 180nm technology, is successfully being applied as analog parameter memory in neuromophic hardware. Through the examination of ten test memory cells it is thus inspected whether these are also suitable for operation in this realm. The memory is, in principle, found to be functional and some basic properties like the storage period and resilience to long-term duty are analyzed; due to erroneous chip design more sophisticated testing could not be conducted. According to the results of this thesis a possible utilization as analog memory is imaginable, however, more investigation is needed for an accurate statement.