KIP-Veröffentlichungen

In dieser Arbeit wurde die Adsorption der Gase Kohlenstoffmonoxid, Ethen und Sauerstoff auf der einkristallinen, glatten Cu(110)-Oberfläche unter Ultrahochvakuumbedingungen mit IRRAS untersucht. Die Experimente mit Kohlenstoff und Ethen fanden an der mit flüssigem Helium gekühlten Probe statt. Bei niedrigen Ethenbedeckungen wurden eine IR-aktive und zwei Raman-aktive Moden beobachtet. Bei höherer Bedeckung verschwand die IR-aktive Bande nahezu komplett aus dem Spektrum. Dagegen ändert sich die Intensität der Raman-aktiven Moden bis Monolagenbedeckung etwa linear mit der Dosis. Durch Ausheilen auf etwa 95 K konnten diese beiden Banden noch deutlicher herauspräpariert werden. Aus den Linienpositionen konnte auf Vorliegen eines π-Komplexes geschlossen werden. Im Vergleich dazu wurden auf der durch Aufdampfen von Kupfer im Monolagenbereich künstlich aufgerauhten Cu(110)-Oberfläche die Moden von Kohlenstoffmonoxid und Ethen in guter Übereinstimmung mit Messungen an rauhem Cu(111) und kalt aufgedampften Kupferfilmen bei höheren Wellenzahlen detektiert. In einem Übergangsbereich mittlerer Bedeckungen konnten gleichzeitig Linien der glatten und der rauhen Oberfläche nachgewiesen werden, was auf das Vorliegen von zwei verschiedenen Adsorptionsplätzen schließen lässt. In weiteren Messungen bei Raumtemperatur konnte gezeigt werden, dass atomar adsorbierter Sauerstoff auf Cu(110) zu einer anisotropen Änderung des Oberflächenwiderstandes führt.

The Adsorption of the gases carbon monoxide, ethene and oxygen at the single crystalline Cu(110) surface has been investigated using IRRAS under ultrahigh vacuum conditions. The sample was prepared by repeated Ar ion sputtering and subsequent annealing. The experiments with CO and ethene were performed with the sample cooled by liquid helium. At low coverages of ethene an IR-active mode as well as two Raman-active ones have been observed. With increasing coverage the IR-active mode nearly disappeared. This is in contrast to the parallel increase in intensity of the Raman-active modes that sharpened upon annealing to 95 K. The observed band positions suggest the complex built with the surface to be of the π-type. In another kind of experiments the surface has been roughened artificially by evaporating small amounts of copper in the monolayer region to it. The observed bands were the same as on the smooth surface, nevertheless they underwent an upward shift in comparison to the latter. An intermediate region has been shown to exist with the corresponding surfaces exhibiting features of the smooth and the rough surfaces that are assigned to two types of adsorption sites. In further measurements performed at room temperature, atomically adsorbed oxygen was observed to cause an anisotropic change in surface resistance.